東芝は3月26日、世界ではじめて48層積層プロセスを用いた128ギガビットの2ビット／セル3次元フラッシュメモリを開発したと発表しました。同日よりサンプル出荷を開始しています。
開発されたのは、世界最先端の48層積層プロセスを用いたフラッシュメモリで、現行製品と比べて書き込み速度の高速化、書き換え寿命などの信頼性向上が実現されています。
東芝は、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどで求められるメモリの大容量化、小型化などの市場ニーズに応えるため、フラッシュメモリの3次元積層構造化を進め、SSDを中心とした製品群を展開していくとしています。
産経新聞の報道によれば、東芝は今年後半から本製品を量産する計画で、今後スマートフォンなどに保存できるデータ容量が飛躍的に増える可能性がある。記憶素子を垂直に積載する3次元メモリーはSamsungが昨年から32層の積層品を量産しているが、東芝は48層のタイプを開発し世界一に躍り出る。数年以内に容量1TB（1000GB）の3次元メモリーの開発を目指している。とのことです。
2014年第3四半期のNANDフラッシュ市場シェアは、Samsungが29.7％で1位、東芝が22.6％で2位、SanDiskが18.8％で3位となっています。
情報元：東芝